免费无码AV片在线观看中文

<tr id="d7vky"></tr>
<strong id="d7vky"></strong><dd id="d7vky"></dd>
<dd id="d7vky"></dd><strong id="d7vky"><output id="d7vky"><noframes id="d7vky">
<dd id="d7vky"></dd>
<dd id="d7vky"><strong id="d7vky"><tr id="d7vky"></tr></strong></dd>
<dd id="d7vky"></dd>
<strong id="d7vky"></strong><dd id="d7vky"></dd>
<dd id="d7vky"><strong id="d7vky"></strong></dd><dd id="d7vky"><strong id="d7vky"></strong></dd>
<strong id="d7vky"></strong><strong id="d7vky"><output id="d7vky"><noframes id="d7vky">
<dd id="d7vky"></dd><strong id="d7vky"></strong><strong id="d7vky"></strong><dd id="d7vky"></dd><strong id="d7vky"></strong>
首頁 - 客戶服務 - 應用指南
晶閘管、二極管主要參數及其含義
更新時間:2015-01-27 04:55:49  閱讀量:2244次

IEC標準中用來表征晶閘管、二極管性能、特點的參數有數十項,但用戶經常用到的有十項左右,本文就晶閘管、二極管的主要參數做一簡單介紹。

1正向平均電流IF(AV)整流管)/通態平均電流IT(AV)晶閘管)

是指在規定的散熱器溫度THS或管殼溫度 TC ,允許流過器件的最大正弦半波電流平均值。此時,器件的結溫已達到其最高允許溫度Tjm。公司產品手冊中均給出了相應通態電流對應的散熱器溫度THS或管殼溫度 TC值,用戶使用中應根據實際通態電流和散熱條件來選擇合適型號的器件。

2正向方均根電流IFRMS整流管)/通態方均根電流ITRMS晶閘管)

是指在規定的散熱器溫度THS或管殼溫度 TC ,允許流過器件的最大有效電流值。用戶在使用中,須保證在任何條件下,流過器件的電流有效值不超過對應殼溫下的方均根電流值。

3浪涌電流IFSM(整流管)、ITSM(晶閘管)

     表示工作在異常情況下,器件能承受的瞬時最大過載電流值。用10ms底寬正弦半波峰值表示,臺基公司在產品手冊中給出的浪涌電流值是在器件處于最高允許結溫下,施加80% VRRM條件下的測試值。器件在壽命期內能承受浪涌電流的次數是有限的,用戶在使用中應盡量避免出現過載現象。

4斷態不重復峰值電壓VDSM/反向不重復峰值電壓VRSM

     指晶閘管或整流二極管處于阻斷狀態時能承受的最大轉折電壓,一般用單脈沖測試防止器件損壞。用戶在測試或使用中,應禁止給器件施加該電壓值,以免損壞器件。

5斷態重復峰值電壓VDRM/反向重復峰值電壓VRRM

     是指器件處于阻斷狀態時,斷態和反向所能承受的最大重復峰值電壓。一般取器件不重復電壓的90%標注(高壓器件取不重復電壓減100V標注)。用戶在使用中須保證在任何情況下,均不應讓器件承受的實際電壓超過其斷態和反向重復峰值電壓。

6.斷態重復峰值(漏)電流IDRM/反向重復峰值(漏)電流IRRM

      為晶閘管在阻斷狀態下,承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM時,流過元件的正反向峰值漏電流。該參數在器件允許工作的最高結溫Tjm下測出。

7.通態峰值電壓VTM(晶閘管)/正向峰值電壓VFM(整流管)

指器件通過規定正向峰值電流IFM(整流管)或通態峰值電流ITM(晶閘管)時的峰值電壓,也稱峰值壓降。該參數直接反映了器件的通態損耗特性,影響著器件的通態電流額定能力。

器件在不同電流值下的的通態(正向)峰值電壓可近似用門檻電壓和斜率電阻來表示:

VTM=VTO+rT*ITM     VFM=VFO+rF*IFM

公司在產品手冊中給出了各型號器件的最大通態(正向)峰值電壓及門檻電壓和斜率電阻,用戶需要時,可以提供該器件的實測門檻電壓和斜率電阻值。

8.電路換向關斷時間tq(晶閘管)

     在規定條件下,在晶閘管正向主電流下降過零后,從過零點到元件能承受規定的重加電壓而不至導通的最小時間間隔。晶閘管的關斷時間值決定于測試條件,公司對所制造的快速、高頻晶閘管均提供了每只器件的關斷時間實測值,在未作特別說明時,其對應的測試條件如下:

l         通態峰值電流ITM等于器件ITAV;

l         通態電流下降率di/dt=-20A/μs;

l         重加電壓上升率dv/dt=30A/μs;

l         反向電壓VR=50V;

l         結溫Tj=125°C。

如果用戶需要在某一特定應用條件下的關斷時間測試值,可以向我們提出要求。

9.通態電流臨界上升率di/dt(晶閘管)

      是指晶閘管從阻斷狀態轉換到導通狀態時,晶閘管所能承受的通態電流上升率最大值。器件所能承受的通態電流臨界上升率di/dt受門極觸發條件影響很大,因此我們建議用戶應用中采用強觸發方式,觸發脈沖電流幅值:IG≥10IGT;脈沖上升時間:tr≤1μs。

10斷態電壓臨界上升率dv/dt

在規定條件下,不會導致晶閘管從斷態轉換到通態所允許的最大正向電壓上升速度。公司產品手冊中給出了所有品種晶閘管的最小dv/dt值,當用戶對dv/dt有特殊要求時,可在訂貨時提出。

11門極觸發電壓 VGT

門極觸發電流IGT

       在規定條件下,能使晶閘管由斷態轉入通態所需的最小門極電壓和門極電流。晶閘管開通過程中的開通時間、開通損耗等動態性能受施加在其門極上的觸發信號強弱影響很大。如果在應用中采用較臨界的IGT去觸發晶閘管,將不能讓晶閘管得到良好的開通特性,某些情況下甚至會引起器件提前失效或損壞。因此我們建議用戶應用中采用強觸發方式,觸發脈沖電流幅值:IG≥10IGT;脈沖上升時間:tr≤1μs。為了保證器件可靠工作,IG必須遠大于IGT。

12結殼熱阻Rjc

      指器件在規定條件下,器件由結至殼流過單位功耗所產生的溫升。結殼熱阻反映了器件的散熱能力,該參數也直接影響著器件的通態額定性能。公司產品手冊中對平板式器件給出了雙面冷卻下的穩態熱阻值,對半導體功率模塊,給出了單面散熱時的熱阻值。用戶須注意,平板式器件的結殼熱阻直接受安裝條件的影響,只有按手冊中推薦的安裝力安裝,才能保證器件的結殼熱阻值滿足要求。


免费无码AV片在线观看中文